Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (2)Реферативна база даних (2)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Фомовський Ф$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 5
Представлено документи з 1 до 5
1.

Бронніков А. І. 
Інтелектуальні засоби в системі керування виробничим агентом [Електронний ресурс] / А. І. Бронніков, О. М. Цимбал, Ф. В. Фомовський // Технология приборостроения. - 2014. - № 2. - С. 26-30. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Tp_2014_2_9
Попередній перегляд:   Завантажити - 563.705 Kb    Зміст випуску     Цитування
2.

Фомовський Ф. В. 
Порівняльний аналіз деградаційної стійкості кристалів напівізолюючого арсеніду галію, легованого хромом або телуром [Електронний ресурс] / Ф. В. Фомовський // Вісник Кременчуцького національного університету імені Михайла Остроградського. - 2014. - Вип. 3. - С. 30-34. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vkdpu_2014_3_7
Попередній перегляд:   Завантажити - 534.949 Kb    Зміст випуску     Цитування
3.

Клюй М. І. 
Вплив телуру на деградаційну стійкість кристалів напівізолюючого арсеніду галію [Електронний ресурс] / М. І. Клюй, А. І. Ліптуга, В. Б. Лозінський, А. П. Оксанич, С. Е. Притчин, Ф. В. Фомовський, В. О. Юхимчук // Український фізичний журнал. - 2014. - Т. 59, № 11. - С. 1094-1098. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2014_59_11_10
Показано, що вихідні, необроблені кристали напівізолюючого GaAs, компенсовані телуром, після ВЧ-обробок деградують суттвєо менше у порівнянні зі зразками, легованими хромом. Даний ефект свідчить про суттєвий вплив типу компенсуючої домішки на деградаційну стійкість матеріалу. Також встановлено, що кристали напівізолюючого GaAs, компенсовані телуром, що пройшли попередню обробку в плазмі водню, мають вищу деградаційну стійкість до впливу тривалих високочастотних і мікрохвильових обробок, у порівнянні з необробленими кристалами.
Попередній перегляд:   Завантажити - 598.565 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
4.

Разумов-Фризюк Є. А. 
Дослідження параметрів, що впливають на якість моделювання методом пошарового наплавлення [Електронний ресурс] / Є. А. Разумов-Фризюк, Ф. В. Фомовський, С. О. Шепеньов, А. І. Демська // Технология приборостроения. - 2017. - № 1. - С. 53-57. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Tp_2017_1_14
Попередній перегляд:   Завантажити - 735.607 Kb    Зміст випуску     Цитування
5.

Кухаренко Д. В. 
Метод діагностики складних електронних схем з використанням сигнатурного аналізу [Електронний ресурс] / Д. В. Кухаренко, Ф. В. Фомовський, В. В. Гладкий, С. В. Саньков // Вісник Кременчуцького національного університету імені Михайла Остроградського. - 2020. - Вип. 3. - С. 133-138. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vkdpu_2020_3_20
Попередній перегляд:   Завантажити - 774.644 Kb    Зміст випуску     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського